طراحی حافظه‌های جدید فلاش ۲۵۶ گیگابیتی از نوع NAND توسط سامسونگ آغاز شده است. این حافظه ها دارای ۴۸ لایه سه بیتی در سطوح مختلف هستند.
با افزایش چگالی این حافظه ها می توان ظرفیتشان را در آینده بیشتر کرد. علاوه بر سامسونگ، توشیبا، سن دیسک، اینتل و میکرون هم در تلاش برای طراحی حافظه های جدید NAND هستند و همگی قصد دارند این حافظه ها را با قیمت های رقابتی عرضه نمایند.
سامسونگ چندی قبل تراشه‌های دو ترابایتی را برای گوشی های هوشمند روانه بازار کرد و امیدوار است فناوری جدید ساخت این تراشه ها را با هزینه کمتر و ابعاد مناسب ممکن کند.
این تراشه ها از خانواده ۳D NAND و موسوم به ۳D V-NAND هستند و داده ها در آنها به طور عمودی و به جای ۳۲ لایه در ۴۸ لایه ذخیره می شوند. لایه های حافظه های مذکور از طریق ۱.۸ میلیارد حفره ارتباطی با یکدیگر در ارتباطند و در نهایت ۸۵.۳ میلیارد سلول وظیفه ذخیره سازی ۲۵۶ میلیارد بیت اطلاعات را بر عهده دارند. به بیان دیگر ۲۵۶ گیگابیت داده بر روی تراشه ای به اندازه سر انگشت ذخیره می شوند.
استفاده از این فرایند ۴۸ لایه موجب کاهش ۳۰ درصدی مصرف برق در مقایسه با تراشه های ۳۲ لایه ای می شود. همچنین بهره وری این تراشه ها ۴۰ درصد بیشتر است.
منبع : آی تی ایران
